最新的内存技术提升了宽带和容量

          虽然DDR4内存是在2014年推出的，但它的性能是DDR3内存的1.5倍，而内存的接口功率的消耗还是比较让人在意，与DDR3内存相比，降低了25%的功耗。此外，DDR4支持每一个模块的最大容量为512GB，并且具有比其DDR3内存的空间更多，以及更快地循环和增加的引脚数，来支持更高的寻扯能力。

           但是根据说法，DDR4内存标准还包括了一些功能，可以加快内存的操作，并增加服务器，笔记本以及台式机，平板这些电子产品的SDRAM存储。更具体的来说，DDR4支持多达8个器件的堆叠存储芯片，向存储器控制器提供单个信号负载。实际上，与DDR3内存相比，DDR4内存提供了双模块密度和双倍速度的潜力，同时还降低了功耗，并延长了未来64位平板电脑和智能手机的电池的寿命。DDR4的内存将会成为今年DRAM的主导产品，它的市场份额将会达到58%，而DDR3只有39%。

           虽然DDR4的时钟频率是1.6Gbps至3.2Gbps，但标准化机构的固态技术协会最近发布了下一代DRAM-DDR5内存将实现了双倍的宽带，它从3.2Gbps到6.4Gbps的时钟频率，来满足数据中心在物联网的时代不断增长的贷款需求。事实上，普遍链接的新时代已经产生了数字的海啸数据，这正式推动DDR4内存突破容量和内存带宽的限制。

           虽然DDR5标准制定的工作在进行中，但在早期公开的信息显示出了许多进化的改进。这些包括了更高的密度，新的命令结构和新的省电功能。DDR5内存还可能引入信号均衡个纠正错误的功能。

            此外，高带宽内存是通过1024位的SoC提供得来的非常宽的接口用来增加存储器带宽。这意味着HBM2的最大的速度是2Gbps。除了DDR5内存和高宽带内存外，正在部署混合DIMM技术，来满足不断增长的内存容量和宽带的需求。

            不过应该注意的是，NVDIMM-P可以在DIMM上实现完全可访问的闪存，从而允许系统利用了非易失性存储器作为附加的高速存储器。